發光二極體製造
提供 LED 上游製程使用的各種基板拋光用研磨漿料,分別應用於藍寶石基板與矽晶圓基板及不鏽鋼材的前、後段拋光製程。亦提供LED中游階段黃光製程使用之正、負型光阻劑。 為使客戶省略強酸蝕刻貴金屬之製程,永光開發應用於 Lift-off 製程的光阻劑;此外,提高 LED 發光效率的 PSS (Pattern Sapphire Substrate) 製程所使用的光阻劑,亦是供應客戶的重點產品。
產品系列 | 應用 | 特性 |
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EPG 516 正型光阻劑 |
積體電路的製造 | • 高敏感度 • 附著性佳 • 耐熱性佳 • 較大製程寬容度 |
EPG 527 正型光阻劑 |
和基材間有良好的附著性與抗蝕刻性 可應用於 LED 磊晶製造之製程 及 Spin 塗佈製程 |
• 抗蝕刻性佳 • 附著性佳 • 去除性佳 |
EPG 560 正型厚膜光阻劑 |
應用於光阻厚度 6~11µm 的 ICP 蝕刻製程 | • 高感度 • 抗ICP蝕刻特性佳 • 耐熱性佳 |
ENPI 200 鹼性顯影用的負型光阻劑 |
應用於 lift-off 製程 | • 附著性佳 • 去除性佳 • 安全溶劑 |
產品系列 | 應用 | 特性 |
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EPI 612 高解析度正型光阻劑 |
LED藍寶石基板圖形化(PSS)製程用 | • 高感光度 • 高解析度 • 附著性佳 • 製程寬容度大 • 塗佈均勻性佳 |
產品系列 | 產品敘述 | 應用 | 特性 |
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ESR 236 | 分散均勻的小粒徑球型粒子以及特殊的配方組成。 | 以20~40倍稀釋後,適用於矽片的第一階段、第二階段拋光,可達到極佳的拋光表面,減少最後段精拋成本、並提高良率。 | • 快速的研磨速度 • 提升拋光布的使用壽命 • 循環式或非循環式製程皆適合使用 |
ESS 020 | 分散均勻的小粒徑球型粒子以及特殊的配方組成。 | 適用於矽片的第一階段、第二階段拋光和矽材料拋光使用 | • 快速的研磨速度 • 提升拋光布的使用壽命 • 循環式或非循環式製程皆適合使用 • 高稀釋倍率使用 |
ESS 100 | 分散均勻的大粒徑球型粒子以及特殊的配方組成。 | 適用於矽片的第一階段拋光和矽材料拋光使用 | • 更快速的研磨速度 • 提升拋光布的使用壽命 • 循環式或非循環式製程皆適合使用 • 高稀釋倍率使用 |
產品系列 | 產品敘述 | 應用 | 特性 |
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ESR 500 | 分散均勻的球型粒子以及特殊的配方組成 | 適合於藍寶石晶圓的整段拋光 | • 有極高的研磨速度 • 高製程寬容度與良好的穩定性 • 可達到近完美的拋光表面 |
ESR 600 | 分散均勻的球型粒子以及特殊的配方組成 | 適合於藍寶石A-Plane晶圓的拋光 應用於手機、GPS等3C產品的保護鏡片(Cover Lens)或高階手錶的保護鏡片 |
針對不易加工的A軸藍寶石,提高於一般漿料50%以上的移除速率。 |
ESA 280 | 分散均勻的研磨粒子以及特殊的配方組成 | 適合藍寶石基材快速拋光 | • 具有良好的懸浮性 • 粒子分散均勻,可完成最佳加工表面 • 表面粗糙度 Ra < 0.3 nm • 長時間使用可持續良好拋光速度,適合拋光液循環製程 • 拋光液沉降後,簡單搖動即可再分散 |
產品系列 | 產品敘述 | 應用 | 特性 |
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ESA 220 | 分散均勻的研磨粒子以及特殊的配方組成 | 適合氮化鋁基材拋光,以及金屬基板的第一道粗拋。 | • 具有良好的懸浮性,粒子分散均勻,可完成最佳加工表面
• 長時間使用可持續良好拋光速度,適合拋光液循環製程 • 拋光液沉降後,簡單搖動即可再分散 |
產品系列 | 產品敘述 | 應用 | 特性 |
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ESR 131 | 分散均勻的球型粒子以及特殊的配方組成 | 適合於不鏽鋼及各類鋁合金基板的鏡面拋光加工 | • 不會在表面造成額外的腐蝕傷害
• 可以快速達成鏡面拋光加工 • 容易清洗 |
ESA 220 | 分散均勻的研磨粒子以及特殊的配方組成 | 適合氮化鋁基材拋光,以及金屬基板的第一道粗拋。 | • 具有良好的懸浮性,粒子分散均勻,可完成最佳加工表面。
• 長時間使用可持續良好拋光速度,適合拋光液循環製程。 • 拋光液沉降後,簡單搖動即可再分散。 |
產品系列 | 產品敘述 | 應用 | 特性 |
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ESA 300 | 分散均勻的研磨粒子以及特殊的配方組成 | 適合碳化矽基材快速拋光 | • 具有良好的懸浮性,粒子分散均勻,可完成最佳加工表面
• 表面粗糙度 Ra < 0.1 nm • 長時間使用可持續良好拋光速度,適合拋光液循環製程 • 拋光液沉降後,簡單搖動即可再分散 |
– 其它應用領域 –